Flicker noise 上轉成 1/f³ phase noise
前置閱讀:white_noise_to_phase_noise(白噪 → 的同一機制)、fourier_series_of_isf(DC 項 的角色)、rms_isf( 與 比值定 corner)。
動手驗證:本頁「對稱 vs 非對稱波形決定 close-in 」的模擬見 lab_07。
上一頁 white_noise_to_phase_noise 解釋了白噪怎麼變 。但你看任何真實振盪器的 phase noise 圖,最靠近載波那一段通常更陡——斜率 dB/decade,也就是 。這段陡裙邊是哪來的?答案是 device flicker noise(閃爍雜訊、 雜訊,電晶體在低頻特別大的那種雜訊)被振盪器「上轉」(upconvert)到載波附近。
這頁回答三件事:(1) flicker noise 是什麼、(2) 為什麼只有 ISF 的 DC 項 能把它上轉、 (3) 為什麼 corner 不等於 device 的 corner,以及波形對稱性如何幫上忙。
物理直覺(先講結論):低頻 flicker 雜訊本身在 baseband(接近 DC)。要讓它出現在 載波附近,必須有某個機制把它「搬」上去 。ISF 是個週期函數,它的傅立葉級數裡 唯一的 DC 成分就是 。只有這個 DC 項會跟「就在 DC 附近的 flicker」相乘並被相位積分器 累積成 close-in 相位抖動。換句話說: 是 flicker 通往載波的唯一閘門。 把 壓到 0 (靠波形對稱),這扇門就關上了, 裙邊大幅下降。
第 1 步:flicker noise 是什麼,model 怎麼寫
flicker()noise 是電晶體的本質低頻雜訊,PSD 隨頻率往低處上升(), 通常歸因於通道-氧化層介面的載子捕捉/釋放。在 device 的 corner 以下, flicker 超過白噪;以上則白噪主導。[P1] 用一個簡潔模型描述([P1] Eq.(22), p.185):
- 怎麼讀: 是白噪平台(per-Hz);乘上 後, 在 時放大、且隨 上升——這就是 形狀。 在 處兩者相等(corner 的定義)。
- 單位檢查: 無因次(rad/s 除以 rad/s); 乘上 ()仍是 ✓。
- 注意符號: 是 device 的 corner(rad/s),來自電晶體製程, 跟稍後的 phase-noise corner 是兩回事(見第 4 步,notation 頁也特別警告過)。
第 2 步:為何低頻雜訊需要被「上轉」才看得見
回到 [P1] Eq.(13), p.183 的分諧波相位響應:
flicker 的能量集中在低頻(接近 DC)。看求和裡的每一項:
-
的項都帶 ——它把「就在 附近」的 noise 下變頻到 baseband。但 flicker 在 (,很高)幾乎沒有能量,所以這些項抓不到 flicker。
-
唯一的 (DC)項 沒有 乘子——它直接積分 baseband 的 noise。flicker 的能量正好都在 baseband,所以只有這一項