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隨機雜訊基礎 Stochastic Noise Basics

先備:lti_vs_ltv · 統一符號表 | 接下來:white_noise_to_phase_noise

這頁回答一個前置問題:在談 ISF 之前,我們得先把「雜訊」這個隨機過程講清楚。 振盪器裡的相位抖動,源頭是電晶體與電阻的隨機電流 in(t)i_n(t)。要把它丟進 [P1] Eq.(11) 的相位積分式,我們得先知道:這個隨機電流的「強度」怎麼量(PSD)、 怎麼從 PSD 算回時域功率(Parseval)、它在不同時刻是否相關(autocorrelation)、 一次量測能不能代表整個 ensemble(ergodicity),以及——對振盪器最關鍵的—— 雜訊強度本身會不會隨振盪相位週期性變化(cyclostationary)

最後一點是後面 effective_isf 的核心:電晶體只在 「導通」那一小段時間漏噪,而那段時間落在波形的哪個相位,會決定 ISF 要用哪一段去加權。

物理直覺(先講大局):把 noise 想成「振盪器每一刻都被一隻看不見的手隨機踢一下」。 我們需要兩個獨立的資訊:(1) 這隻手平均踢多大力(強度,用 PSD 量);(2) 這隻手 什麼時候踢得兇(時間調變,用 cyclostationary / NMF 描述)。ISF 則是第三件事: 「踢在波形哪個相位最會改相位」。三者相乘積分,就是 phase noise。

1. white noise(白噪)

white noise(白雜訊,功率譜在所有頻率都一樣平的隨機過程)。名字來自白光—— 所有頻率分量等強度。它的單邊 PSD(power spectral density,功率譜密度)是常數:

Si(f)=in2Δf=const.S_i(f)=\frac{\overline{i_n^2}}{\Delta f}=\text{const}.
  • 單位:電流 noise PSD 的單位是 A2/Hz\text{A}^2/\text{Hz}(每 Hz 頻寬的均方電流)。 熱噪典型寫法 in2/Δf=4kT/R\overline{i_n^2}/\Delta f=4kT/R(電阻)或 4kTγgm4kT\gamma g_m(MOS 通道)。
  • dimension checkin2\overline{i_n^2}A2\text{A}^2,除以頻寬 Δf\Delta f(Hz)得 A2/Hz\text{A}^2/\text{Hz} ✓。
  • 物理來源:thermal noise(熱雜訊,載子隨機熱運動)與 shot noise(散粒雜訊, 載子穿越位障的離散性)在我們關心的頻段都可視為白的。
  • canonical 數值:本站白噪源用 Si=1024 A2/HzS_i=10^{-24}\ \text{A}^2/\text{Hz}(見規範例 B)。 這對應 Si=1012 A/Hz=1 pA/Hz\sqrt{S_i}=10^{-12}\ \text{A}/\sqrt{\text{Hz}}=1\ \text{pA}/\sqrt{\text{Hz}} 的電流雜訊密度。

為什麼振盪器在乎白噪:白噪在所有 nω0n\omega_0 附近都有同樣強度的分量,ISF 的每個諧波 cnc_n 都會把對應頻段的白噪「下變頻」搬到 carrier 附近,形成 1/f²(20-20 dB/dec)的 phase noise skirt(裙邊)。這正是 [P1] Eq.(21) 的內容,見 white_noise_to_phase_noise

2. flicker (1/f) noise(閃爍雜訊)

flicker noise(閃爍雜訊,也叫 1/f noise,功率隨頻率反比上升的低頻雜訊)。在 MOS 元件裡主要來自載子被介面 trap(陷阱)隨機捕捉/釋放。它的 PSD 不平:

Si,1/f(f)=in2ω1/fΔω(Δω<ω1/f),S_{i,1/f}(f)=\overline{i_n^2}\cdot\frac{\omega_{1/f}}{\Delta\omega}\qquad(\Delta\omega < \omega_{1/f}),

這正是 [P1] Eq.(22), p.185 的 device flicker 模型(規範第 3 節公式 13)。

  • 單位:一樣是 A2/Hz\text{A}^2/\text{Hz}ω1/f\omega_{1/f} 是 device 的 1/f corner(角頻率, rad/s),就是「1/f 分量強度等於白噪底的那個頻率」。
  • dimension checkin2\overline{i_n^2}A2/Hz\text{A}^2/\text{Hz}× ω1/f/Δω\times\ \omega_{1/f}/\Delta\omega (無因次比值)=A2/Hz=\text{A}^2/\text{Hz} ✓。
  • 關鍵陷阱:device 的 1/f corner ω1/f\omega_{1/f} 不等於 phase noise 的 1/f³ corner。 後者是 Δω1/f3=ω1/fc02/(2Γrms2)\Delta\omega_{1/f^3}=\omega_{1/f}\cdot c_0^2/(2\Gamma_{rms}^2)([P1] Eq.(24)), 只透過 ISF 的 DC 係數 c0c_0 上轉。波形對稱(小 c0c_0)能把 1/f³ corner 壓到遠低於 device corner——見 symmetry(claim C5)。
雜訊種類PSD 形狀物理來源在 phase noise 裡變成
white平的(const A2/Hz\text{A}^2/\text{Hz}thermal / shot1/f²(20-20 dB/dec)
flicker (1/f)1/f\propto 1/ftrap 捕捉/釋放1/f³(30-30 dB/dec),只經 c0c_0

3. PSD 與 Parseval:頻域強度 ↔ 時域功率

PSD(功率譜密度) 告訴你「每單位頻寬有多少功率」。把它對頻率積分,得到時域的 總功率(變異數)。這就是 Parseval 定理(時域能量 = 頻域能量) 在隨機過程上的版本:

in2=0Si(f)df(單邊 PSD).\overline{i_n^2}=\int_0^{\infty}S_i(f)\,df\qquad(\text{單邊 PSD}).
  • 單位:左式 A2\text{A}^2;右式 (A2/Hz)×Hz=A2(\text{A}^2/\text{Hz})\times\text{Hz}=\text{A}^2 ✓。
  • 直覺:PSD 是「功率的密度」,積分是「把密度乘上頻寬加起來」。對 white noise, 這個積分會發散——所以真實系統一定有 bandwidth(頻寬上限),白噪只是頻段內的近似。
  • 為何重要:phase noise 也是同一招——把 phase PSD Sϕ(f)S_\phi(f) 對 offset 頻率積分, 得到 phase variance σϕ2\sigma_\phi^2,再換成 rms jitter。完整推導在 psd_phase_noise_jitter

記法:本站用單邊(single-sided)PSD(只算正頻率,0f<0\le f<\infty)。 若改用雙邊(<f<-\infty<f<\infty)PSD,每個頻率的值要除以 2。這個 factor-of-2 慣例 跟 SSB phase noise 的 L12Sϕ\mathcal{L}\approx\frac12 S_\phi 是同一類記帳問題, 在 white_noise_to_phase_noise 會專門討論。

4. autocorrelation(自相關)與 white 的真正定義

autocorrelation(自相關函數,同一隨機過程在兩個時刻的相關程度)

Ri(τ)=in(t)in(t+τ).R_i(\tau)=\overline{i_n(t)\,i_n(t+\tau)}.
  • 單位A2\text{A}^2(兩個電流相乘的期望值)。
  • Wiener–Khinchin 定理:autocorrelation 與 PSD 是傅立葉對。白噪的 PSD 平坦, 對應 autocorrelation 是一根 delta:Ri(τ)=in2Δfδ(τ)R_i(\tau)=\dfrac{\overline{i_n^2}}{\Delta f}\,\delta(\tau)
  • 直覺:白噪「現在的值」與「下一瞬間的值」完全無關(記憶為零)。這正是為什麼 在 [P1] Eq.(11) 的相位積分裡,可以把不同時刻的 noise 貢獻當成獨立疊加——它讓 phase variance 的計算變成「逐項平方相加」而不必處理交叉相關項。
  • flicker 反例:1/f noise 的 autocorrelation 拖很長的尾巴(長記憶、強相關), 這也是它難積分、難模擬的原因(見 DSP 頁的 aliasing 注意事項)。

5. ergodicity(遍歷性)

ergodicity(遍歷性,「時間平均 = ensemble 平均」的性質)

  • 白話:你只有一顆振盪器、量一條很長的波形(時間平均);理論上談的是無限多顆 同型振盪器在同一時刻的統計(ensemble / 集合平均)。ergodicity 保證這兩者相等—— 否則「量一顆」根本無法驗證「理論預測的 ensemble 統計」。
  • 適用條件:要 stationary(統計性質不隨時間漂移)才談得上 ergodic。熱噪 OK。
  • 失效警告:振盪器的 excess phase ϕ(t)\phi(t) 本身不是 stationary——它是 random walk (隨機漫步,變異數隨時間線性增長,見 accumulated jitter σΔt=κΔt\sigma_{\Delta t}=\kappa\sqrt{\Delta t}, [P2] Eq.(8))。所以我們對「相位的時間導數(頻率)」或「相位差」做統計,而不是對 ϕ\phi 的絕對值。這個微妙之處在 dsp_view_of_phase_noise 會用「1/(jω) 積分器把白噪變 1/f²」的觀點重新講一次。

6. cyclostationary noise(週期穩態雜訊)— 本頁重點,直通 effective ISF

cyclostationary noise(週期穩態雜訊,統計性質隨時間「週期性」變化的隨機過程)。 [P1] Sec. III-D, p.186 講得很直白:

"the channel noise of a MOS device in an oscillator is cyclostationary because the noise power is modulated by the gate-source overdrive which varies with time periodically."([P1], p.186,cyclostationary 段落)

也就是說:電晶體不是時時刻刻都在漏一樣多的噪。 它只在導通(大電流、大 overdrive) 那一小段時間噪得兇;其餘時間幾乎安靜。而「導通」這件事跟振盪波形是鎖在一起的—— 週期 TT 重複一次。這就是「週期穩態」。

[P1] 把一個 white cyclostationary 電流分解成([P1] Eq.(25), p.186):

in(t)=in0(t)α(ω0t),i_n(t)=i_{n0}(t)\cdot\alpha(\omega_0 t),

其中 in0(t)i_{n0}(t) 是 white stationary 過程(強度固定),α(ω0t)\alpha(\omega_0 t) 是一個 deterministic(確定性)、週期、normalized(最大值=1) 的函數,描述「雜訊振幅 何時被調大調小」。本站把它叫 NMF — noise-modulating function(雜訊調變函數), 符號 α(ω0t)\alpha(\omega_0 t)0α10\le\alpha\le1,無因次(見 notation 頁)。

  • 單位α\alpha 無因次(它是 normalized 包絡);in0i_{n0}ini_n 都是 A。
  • dimension checkA=A×(無因次)\text{A}=\text{A}\times(\text{無因次}) ✓。
  • α2\alpha^2 的意義:因為 PSD 看的是功率(i2i^2),所以雜訊的瞬時 mean-square 功率 正比於 α2(ω0t)\alpha^2(\omega_0 t)。最大瞬時 PSD =in2/Δf=\overline{i_n^2}/\Delta f, 其餘時間被 α21\alpha^2\le1 壓低。

為什麼這直通 ISF:effective ISF

把 cyclostationary 分解代進相位積分式 [P1] Eq.(11),noise 在第 τ\tau 時刻的貢獻 被 Γ(ω0τ)\Gamma(\omega_0\tau) 加權,而它本身的強度又被 α(ω0τ)\alpha(\omega_0\tau) 調變。兩個 週期函數相乘,可以打包成一個 effective ISF(有效 ISF)([P1] Eq.(27), p.186):

 Γeff(ω0τ)=Γ(ω0τ)α(ω0τ) \boxed{\ \Gamma_{eff}(\omega_0\tau)=\Gamma(\omega_0\tau)\cdot\alpha(\omega_0\tau)\ }

[P1] 的原話:

"the cyclostationary noise can be treated as a stationary noise applied to a system with an effective ISF."([P1], p.186)

意思是:只要把 Γ\Gamma 換成 Γeff=Γα\Gamma_{eff}=\Gamma\cdot\alpha,後面所有公式(cnc_nΓrms\Gamma_{rms}、Eq.(21)、Eq.(23))原封不動照用。 cyclostationary 不需要一套新理論, 它只是改了你要拿去算傅立葉係數的那條曲線。

  • 單位Γeff\Gamma_{eff} 仍無因次(Γ\Gamma 無因次 × α\alpha 無因次)✓。
  • 教學重點:算 cnc_nΓrms\Gamma_{rms} 時要用 Γeff\Gamma_{eff}(即 [P1] 所說「應在後續 所有計算中使用 effective ISF」),不能只用裸 Γ\Gamma

LC vs ring:cyclostationary 影響差很大([P1] 的精彩結論)

[P1], p.186 給了兩個對照例子,非常有教學價值:

振盪器大電流(α\alpha 大)發生在該處的 Γ\Gammacyclostationary 影響
Colpitts LCtank 電壓最低點(波谷)(峰/谷處 ISF 小)Γeff\Gamma_{eff}Γ\Gamma 差很多,不可忽略
ring(單端)transition(過零、斜率最大)(transition 處 ISF 大)ΓeffΓ\Gamma_{eff}\approx\Gamma,影響小

[P1] 的解讀:Colpitts 的電晶體「在 ISF 小的地方才開」,等於大自然幫它把雜訊注在 不敏感的相位——所以 cyclostationary 幫了 LC。而 ring 很不幸:最大電流剛好發生在 最敏感的 transition,雜訊與敏感度同時拉滿。[P1] 直接點名:

"This unfortunate coincidence is one of the reasons why ring oscillators in general have inferior phase noise performance compared to a Colpitts LC oscillator."([P1], p.186)

這是「為什麼 LC 比 ring 乾淨」的兩大原因之一(另一個是 ring 每週期把儲能全耗掉)。 量化討論見 [P2] 與 lc_vs_ring

toy model 提醒:本站後續用 α(ω0t)\alpha(\omega_0 t) 的 toy 形狀(例如把 NMF 設成導通窗) 來示範 Γeff=Γα\Gamma_{eff}=\Gamma\cdot\alpha 怎麼改變 c0c_0Γrms\Gamma_{rms},這些是 pedagogical toy model,非 transistor-level;真實 α\alpha 要從元件 noise model 與 operating point 萃取([P1] 說「α\alpha can be derived easily from device noise characteristics and operating point」)。

把這頁接到 ISF 的一句話

phase noise 的完整配方是三個週期/隨機量的乘積再積分:

中間兩個「乘號」就是 effective ISF Γeff=Γα\Gamma_{eff}=\Gamma\cdot\alpha 的來源;最後的積分器 就是把白噪變成 1/f² 的關鍵(DSP 觀點見下一節連結)。

適用與失效條件

條件成立時失效時
stationary(熱噪)ergodicity 成立,量一顆即可代表 ensemble漂移/老化 → 要重新量
white 近似PSD 平、autocorr 為 delta、貢獻可獨立疊加進入 1/f 區要改用 flicker 模型
cyclostationary 可用 Γeff=Γα\Gamma_{eff}=\Gamma\cdot\alpha 打包小擾動、α\alpha 週期且 normalized強非線性使 α\alpha 與訊號耦合時要更仔細
相位用 random walk 描述對相位差/頻率做統計直接對 ϕ\phi 絕對值做時間平均會發散

重點回顧

  • white noise:PSD 平(A2/Hz\text{A}^2/\text{Hz})、autocorr 為 delta、無記憶;在 ISF 下變 1/f²。
  • flicker (1/f) noiseS1/fS\propto1/f([P1] Eq.(22));只經 c0c_0 上轉成 1/f³; device corner \neq 1/f³ corner。
  • PSD ↔ Parseval:對 PSD 積分得時域功率(變異數);單位自洽 A2/Hz×Hz=A2\text{A}^2/\text{Hz}\times\text{Hz}=\text{A}^2
  • autocorrelation:白噪 = delta(無記憶),1/f = 長尾(強相關)。
  • ergodicity:時間平均 = ensemble 平均;但 ϕ\phi 是 random walk、非 stationary, 要對相位差/頻率做統計。
  • cyclostationary(本頁主角):雜訊強度隨振盪相位週期變化(電晶體只在導通時漏噪); 用 NMF α(ω0t)\alpha(\omega_0 t) 描述,打包成 Γeff=Γα\Gamma_{eff}=\Gamma\cdot\alpha([P1] Eq.(25)–(27)); LC 受益、ring 受害。
  • 來源:[P1] Sec. III-D(cyclostationary)Eqs.(25)–(27), p.186;device flicker Eq.(22), p.185;claims C9。

延伸閱讀